中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩根全;  曾玉刚;  余金中
Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1129/204  |  提交时间：2009/06/11
利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩根全;  曾玉刚;  余金中
Adobe PDF(366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1275/231  |  提交时间：2009/06/11
利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  施辉伟;  陈诺夫;  黄添懋;  尹志岗;  吴金良;  张汉
Adobe PDF(244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1203/204  |  提交时间：2011/08/31
在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄添懋;  陈诺夫;  施辉伟;  尹志岗;  吴金良;  王彦硕;  汪宇;  张汉
Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1569/254  |  提交时间：2011/08/31
增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102520377A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  尹志岗;  张兴旺;  吴金良;  付振;  张汉
Adobe PDF(481Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1191/202  |  提交时间：2012/09/09