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采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  安俊明;  李健;  郜定山;  夏君磊;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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实现对称结构硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  安俊明;  李健;  郜定山;  夏君磊;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  An JM;  Li J;  Xia JL;  Gao DS;  Wu YD;  Li JG;  Wang HJ;  Hu XW;  An, JM, Inner Mongolian Univ, Dept Phys, Hohhot 010021, Peoples R China. 电子邮箱地址: junming@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xia JL;  Wu YD;  Gao DS;  An JM;  Li J;  Hu XW;  Xia, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: Jlxia@red.semi.ac.cn
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A standard CMOS compatible monolithic photo-detector and trans-impedance amplifier 会议论文
2005 IEEE CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS丛书标题: IEEE Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, Kowloon, PEOPLES R CHINA, DEC 19-21, 2005
作者:  Chen HD (Chen Hongda);  Gu M (Gu Ming);  Huang JL (Huang Jiale);  Gao P (Gao Peng);  Mao LH (Mao Luhong);  Chen, HD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1988Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1244/208  |  提交时间:2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xia JL;  Wu YD;  Gao DS;  Li J;  An JM;  Hu XW;  Xia, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jlxia@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄家乐;  毛陆虹;  陈弘达;  高鹏;  刘金彬;  雷晓荃
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  安俊明;  班士良;  梁希侠;  李健;  郜定山;  夏君磊;  李健光;  王红杰;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李健;  安俊明;  王红杰;  夏君磊;  郜定山;  胡雄伟
Adobe PDF(219Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:758/211  |  提交时间:2010/11/23