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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Z. Fu; Z. G. Yin; X. W. Zhang; N. F. Chen; Y. J. Zhao; Y. M. Bai; D. Y. Zhao; H. F. Zhang; Y. D. Yuan; Y. N. Chen; J. L. Wu; J. B. You
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG; Fu, D (reprint author), Nanjing Univ, Sch Elect Sci & Engn, Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat, Nanjing 210093, Jiangsu, Peoples R China, rzhang@nju.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG; Fu, D, Nanjing Univ, Sch Elect Sci & Engn, Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat, Nanjing 210093, Jiangsu, Peoples R China. rzhang@nju.edu.cn
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| 制备有序Al纳米颗粒的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910082081.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 游经碧 ; 张兴旺; 高云; 董敬敬; 陈诺夫
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| 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081473.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 陈晓锋; 陈诺夫; 吴金良; 张秀兰; 柴春林; 俞育德
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| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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