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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, ZJ;  Qu, SC;  Zeng, XB;  Zhang, CS;  Shi, MJ;  Tan, FR;  Wang, ZG;  Liu, JP;  Hou, YB;  Teng, F;  Feng, ZH;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王书荣;  王圩;  刘志宏;  张瑞英;  朱洪亮;  王鲁蜂
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gong Z;  Niu ZC;  Fang ZD;  Miao ZH;  Feng SL;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(273Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：930/246  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gong Z;  Fang ZD;  Miao ZH;  Niu ZC;  Feng SL;  Gong, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912,Qinghua E Rd,Haidian Dist, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: Zhgong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡志华;  廖显伯;  刁宏伟;  夏朝凤;  许玲;  曾湘波;  郝会颖;  孙光临
Adobe PDF(427Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1373/453  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡志华;  廖显伯;  刁宏伟;  夏朝凤;  曾湘波;  郝会颖;  孔光临
Adobe PDF(348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1358/505  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gong Z;  Fang ZD;  Xu XH;  Miao ZH;  Niu ZC;  Feng SL;  Gong, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhgong@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(92Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：909/265  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gong Z;  Fang ZD;  Xu XH;  Miao ZH;  Ni HQ;  Niu ZC;  Feng SL;  Gong, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattice & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhgong@red.semi.ac.cn
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Design of high brightness cubic-GaN LEDs grown on GaAs substrate 会议论文
JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002
作者:  Sun YP;  Shen XM;  Zhang ZH;  Zhao DG;  Feng ZH;  Fu Y;  Zhang SN;  Yang H;  Sun YP Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Wafer Bunding  Cubic Gan  Light-emitting-diodes  Field-effect Transistor  Single-crystal Gan  Microwave Performance  Mirror  Junction  
Surface morphology and optical property of 1.3 mu m In0.5Ga0.5As/GaAs self-organized quantum dots grown by MBE 会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 17 (1-4), TOULOUSE, FRANCE, JUL 22-26, 2002
作者:  Lan Q;  Niu ZC;  Zhou DY;  Kong YC;  Wang XD;  Miao ZH;  Feng SL;  Niu ZC Chinese Acad Sci Natl Lab Superlattices Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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