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无权访问的条目 期刊论文
作者:  冯志宏;  杨辉;  徐大鹏;  赵德刚;  王海;  段俐宏
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MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yang H;  Zhang SM;  Xu DP;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Sun YP;  Feng ZH;  Zheng LX;  Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Mocvd  Gan  Ingan  Cubic  Led  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Gallium Nitride  Phase Epitaxy  Ingan Films  Electroluminescence  Zincblende  Wurtzite  Mbe  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  李顺峰;  杨辉;  徐大鹏;  赵德刚;  孙小玲;  王玉田;  张书明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐大鹏;  杨辉;  赵德刚;  郑联喜;  李建斌;  王玉田;  李顺峰;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵德刚;  杨辉;  徐大鹏;  李建斌;  王玉田;  郑联喜;  李顺峰;  王启明
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