已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 鞠研玲; 杨晓红; 韩勤; 杜云; 倪海桥; 黄社松; 王鹏飞; 贺继方; 牛智川 Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1560/422  |  提交时间:2010/11/23 |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1177/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磁控溅射仪衬底固定夹具 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王鹏; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏 Adobe PDF(452Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1025/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏; 柴春林 Adobe PDF(291Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1433/202  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1239/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨霏; 陈诺夫 Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1102/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 刘立峰; 尹志刚; 杨菲; 柴春林 Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1052/169  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈诺夫; 杨霏 Adobe PDF(291Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1024/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 信息光子学物理 专著 北京:北京大学出版社, 2006 作者: 宋菲君; 羊国光; 余金中 JPEG(8Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2639/542  |  提交时间:2009/09/19 |
| 宽带隙半导体材料SiC、AlN和ZnO薄膜的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006 作者: 杨霏 Adobe PDF(3569Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:882/53  |  提交时间:2009/04/13 |