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0.8um 部分耗尽CMOS SOI 64K 静态存储器的设计与研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  姜凡
Adobe PDF(2222Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1133/15  |  提交时间:2009/04/13