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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu DC;  Duan SK;  Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu DC(陆大成);  Duan SK(段树坤)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu DC(陆大成);  Duan SK(段树坤)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li GH;  Zhang W;  Han HX;  Wang ZP;  Duan SK;  Li GH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu DC(陆大成);  Duan SK(段树坤)
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Growth and characterization of GaN on LiGaO2 and LiAlO2 会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:  Duan SK;  Teng XG;  Han PD;  Lu DC;  Duan SK Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China.
收藏  |  浏览/下载：845/0  |  提交时间：2010/10/29
Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan SK;  Teng XG;  Wang YT;  Li GH;  Jiang HX;  Han P;  Lu DC;  Duan SK,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Integrated Optoelect Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
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Growth and characterization of GaN on LiGaO2 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 195 (1-4), LA JOLLA, CALIFORNIA, MAY 31-JUN 04, 1998
作者:  Duan SK;  Teng XG;  Han PD;  Lu DC;  Duan SK Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
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Diodes  
MOVPE growth of GaN and LED on (111) MgAl2O4 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:  Duan SK;  Teng XG;  Wang YT;  Li GH;  Jiang HX;  Han P;  Lu DC;  Duan SK Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(150Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1364/364  |  提交时间：2010/11/15
Gan  Mgal2o4  Movpe  Led  Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan SK;  Teng XG;  Han PD;  Lu DC;  Duan SK,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Integrated Optoelect Lab,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(161Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：857/289  |  提交时间：2010/08/12