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n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  白一鸣;  陈诺夫;  梁平;  孙红;  胡颖;  王晓东
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, H (Zhu Hui);  Zheng, HZ (Zheng Hou-Zhi);  Li, GR (Li Gui-Rong);  Tan, PH (Tan Ping-Heng);  Gan, HD (Gan Hua-Dong);  Xu, P (Xu Ping);  Zhang, F (Zhang Fei);  Zhang, H (Zhang Hao);  Xiao, WB (Xiao Wen-Bo);  Sun, XM (Sun Xiao-Ming);  Zhu, H, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓薇;  方高瞻;  马晓宇;  冯小明;  孙海东;  刘媛媛;  刘斌;  肖建伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓薇;  方高瞻;  王颖;  孙海东;  冯小明;  刘媛媛;  马骁宇;  肖建伟
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