中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Zhao, YW (Zhao, Y. W.);  Dong, ZY (Dong, Z. Y.);  Deng, AH (Deng, A. H.);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(147Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1169/254  |  提交时间：2010/03/29
Indium Phosphide