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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu HJ (Wu Hui-Juan);  Li XX (Li Xiao-Xin);  Dong JQ (Dong Jian-Qiang);  Pei WH (Pei Wei-Hua);  Chen HD (Chen Hong-Da);  Li, XX, Peking Univ, Dept Ophthalmol, Peoples Hosp, Beijing, Peoples R China. E-mail: drlixiaoxin@vip.sina.com
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Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:  Zhao YW;  Sun NF;  Dong HW;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Sun TN;  Lin LY;  Sun NF Hebei Semicond Res Inst POB 179-40 Shijiazhuang 050002 Hebei Peoples R China.
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Indium Phosphide  Semi-insulating  Annealing  Picts  Photoluminescence  Semiinsulating Inp  Indium-phosphide  Fe  Photoluminescence  Temperature  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Lu HP;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Ctr Mat Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Zhang YH;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Sun NF;  Dong HW;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Sun TN;  Lin LY;  Sun NF,Hebei Semicond Res Inst,POB 179-40,Shijiazhuang 050002,Hebei,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Dong HW;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Zhao YW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Dong HW;  Chen YH;  Zhang YH;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Fung S;  Zhao YW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  董宏伟;  赵有文;  焦景华;  赵建群;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  生卫东;  刘宏伟;  宁继平;  姚建铨;  肖建伟
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