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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jinhua Zhi ; Ning Kang ; Feifan Su ; Dingxun Fan ; Sen Li ; Dong Pan ; S. P. Zhao ; Jianhua Zhao ; H. Q. Xu
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张奇; 赵懿昊; 董振; 王翠鸾; 李伟; 刘素平; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 祝梦遥; 鲁军; 马佳淋; 李利霞; 王海龙; 潘东; 赵建华
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| 高质量窄禁带半导体纳米线及其异质结构分子束外延生长与表征 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者: 潘东
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Inas纳米线 Inas/insb纳米异质结 生长机制 分子束外延 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang BT (Wang Bao-Tian); Zhang P (Zhang Ping); Song HZ (Song Hongzhou); Shi HL (Shi Hongliang); Li DF (Li Dafang); Li WD (Li Wei-Dong); Zhang, P, Inst Appl Phys & Computat Math, LCP, POB 8009, Beijing 100088, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang_ping@iapcm.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang BT (Wang Bao-Tian); Shi HL (Shi Hongliang); Li WD (Li Wei-Dong); Zhang P (Zhang Ping); Zhang, P, Inst Appl Phys & Computat Math, LCP, POB 8009, Beijing 100088, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang_ping@iapcm.ac.cn
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| 一种高晶体质量超细砷化铟纳米线生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24
发明人: 赵建华; 潘东
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| 基于共振隧穿效应的近红外探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人: 王广龙; 董宇; 倪海桥; 陈建辉; 高凤岐; 乔中涛; 裴康明; 牛智川
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| 立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 潘东; 赵建华
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| 低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 裴康明; 倪海桥; 詹锋; 董宇; 牛智川
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