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氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人:  闫建昌;  王军喜;  张韵;  丛培沛;  孙莉莉;  董鹏;  田迎冬;  李晋闽
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一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-10
发明人:  曾建平;  闫建昌;  王军喜;  丛培沛;  孙莉莉;  董鹏;  李晋闽
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具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03
发明人:  董鹏;  闫建昌;  王军喜;  孙莉莉;  曾建平;  丛培沛;  李晋闽
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一种具有高反射薄膜的紫外发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  曾建平;  闫建昌;  王军喜;  丛培沛;  孙莉莉;  董鹏;  李晋闽
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紫外共振腔发光二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
发明人:  曾建平;  闫建昌;  王军喜;  丛培沛;  孙莉莉;  董鹏;  李晋闽
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