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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Fan HB (Fan Hai-Bo); Yang SY (Yang Shao-Yan); Zhang PF (Zhang Pan-Feng); Wei HY (Wei Hong-Yuan); Liu XL (Liu Xiang-Lin); Jiao CM (Jiao Chun-Mei); Zhu QS (Zhu Qin-Sheng); Chen YH (Chen Yong-Hai); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Fan, HB, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbfan@semi.ac.cn; sh-yyang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu JP (Liu Jun-Peng); Qu SC (Qu Sheng-Chun); Chen YH (Chen Yong-Hai); Xu Y (Xu Ying); Zeng XB (Zeng Xiang-Bo); Liang LY (Liang Ling-Yan); Wang ZJ (Wang Zhi-Jie); Zhou HY (Zhou Hui-Ying); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qusc@163.com
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| 一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 陈诺夫; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 袁瑞霞; 阎春辉; 国红熙; 李晓兵; 朱世荣; 曾一平; 李灵霄; 孔梅影
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙殿照; 王晓亮; 李晓兵; 国红熙; 阎春辉; 李建平; 朱世荣; 李灵霄; 曾一平; 孙梅影; 侯洵
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘尧; 肖绪瑞; 李学萍; 阎春辉; 曾一平; 孙殿照; 郑海群; 国红熙
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