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强磁场中二维半导体材料的磁性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  方诚
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng YB;  Pan JQ;  Wang Y;  Zhou F;  Wang BJ;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Wang W;  Cheng YB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ybcheng@semi.ac.cn;  wwang@semi.ac.cn
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量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王志成;  徐波;  刘峰奇;  陈涌海;  王占国;  石礼伟;  梁凌燕
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一种异质结双极晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  姚飞;  薛春来;  成步文;  王启明
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半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  左玉华;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng YB;  Pan JQ;  Zhou F;  Feng W;  Wang BJ;  Zhu HL;  Zhao LJ;  Wang W;  Cheng, YB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ybcheng@semi.ac.cn
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Wavelength tunable distributed Bragg reflector laser integrated with electro-absorption modulator by a combined method of selective area growth and quantum well intermixing - art. no. 68240N 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS AND APPLICATIONS III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-13, 2007
作者:  Zhao LJ;  Zhang J;  Wang L;  Cheng YB;  Pan JQ;  Liu HB;  Zhu HL;  Zhou F;  Bian J;  Wang BJ;  Zhu NH;  Wei W;  Zhao, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Tunable Lasers  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄燕华;  陈松岩;  李成;  蔡加法;  余金中
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制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  薛春来;  成步文;  姚飞;  王启明
Adobe PDF(644Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1198/181  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng YB (Cheng YuanBing);  Pan JQ (Pan JiaoQing);  Liang S (Liang Song);  Feng W (Feng Wen);  Liao ZY (Liao Zaiyi);  Zhou F (Zhou Fan);  Wang BJ (Wang, BaoJun);  Zhao LJ (Zhao LingJuan);  Zhu HL (Zhu HongLiang);  Wang W (Wang Wei);  Cheng, YB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ybcheng@semi.ac.cn
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