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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Chen YH;  Zhang HY;  Zhou GY;  Li TF;  Liu JQ;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Chen YH;  Li TF;  Zhou GY;  Zhang HY;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou GY;  Chen YH;  Yu JL;  Zhou XL;  Ye XL;  Jin P;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. yhchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou GY;  Chen YH;  Zhou XL;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. yhchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang CG;  Chen YH;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  梁凌燕;  叶小玲;  徐波;  陈涌海;  王占国
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具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡良均;  陈涌海;  叶小玲;  王占国
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Wang YL;  Chen YH;  Jin P;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wen.lei@uni-due.de
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu LJ;  Chen YH;  Ye XL;  Huang XQ;  Liang LY;  Ding F;  Wang ZG;  Hu, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangjun_hu@yahoo.com.cn
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