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制作立体神经微电极的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  裴为华;  赵辉;  王宇;  陈三元;  汤戎昱;  陈远方;  陈弘达
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纳米刻蚀印章及利用其进行纳米刻蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-12
发明人:  裴为华;  陈三元;  归强;  陈弘达
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制备硅基微电极的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人:  裴为华;  陈三元;  归强;  陈弘达
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制备MSM结构CZT探测器的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  裴为华;  归强;  陈三元;  陈远方;  陈弘达
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用于神经元刺激及电信号记录的光电极阵列及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人:  裴为华;  陈三元;  归强;  李雷;  陈弘达
Adobe PDF(453Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：740/93  |  提交时间：2014/10/29