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2.5维光子晶体面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  孙增辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XS;  Xiong ZG;  Sun ZH;  Du W;  Lu L;  Chen HD;  Jin AZ;  Zhang DZ;  Xu, XS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xsxu@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(432Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1037/352  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gan QQ;  Song GF;  Yang GH;  Xu Y;  Gao JX;  Li YZ;  Cao Q;  Chen LH;  Lu HW;  Chen ZH;  Zeng W;  Yan RJ;  Gan, QQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gqq@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang FZ;  Chen ZH;  Sun J;  Bai LH;  Huang SH;  Xiong H;  Jin P;  Wang ZG;  Shen SC;  Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. E-mail: zhanghai@fudan.edu.cn
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Temperature and power-density-dependent inter-shell energy states in InAs/GaAs quantum dots 会议论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 01-05, 2005
作者:  Wang FZ;  Chen ZH;  Sun J;  Bai LH;  Huang SH;  Xiong H;  Jin P;  Wang ZG;  Shen SC;  Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghai@fudan.edu.cn
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Quantum Dots  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜伟;  许兴胜;  孙增辉;  鲁琳;  高俊华;  赵致民;  王春霞;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许兴胜;  熊志刚;  孙增辉;  杜伟;  鲁琳;  陈弘达;  金爱子;  张道中
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利用光掩模板作无源对准的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  裴为华;  唐君;  申荣铉;  孙增辉;  贾九春
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与CMOS工艺兼容的硅光电探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-04-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  毛陆虹;  李伟;  陈弘达;  高鹏;  孙增辉;  陈永权
Adobe PDF(468Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1070/164  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang FZ;  Chen ZH;  Bai LH;  Huang SH;  Xiong H;  Shen SC;  Sun J;  Jin P;  Wang ZG;  Wang, FZ, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghai@fudan.edu.cn
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