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一种生长可控量子点和量子环的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 4011
发明人:  赵 暕;  陈涌海;  王占国;  徐 波
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控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人:  梁凌燕;  叶小玲;  金 鹏;  陈涌海;  徐 波;  王占国 
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在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人:  周振宇;  陈涌海
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生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人:  范海波;  杨少延;  张攀峰;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  陈涌海;  王占国 
Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1385/249  |  提交时间：2010/03/19
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia CH;  Chen YH;  Zhang WF;  Zhang WF Henan Univ Key Lab Photovolta Mat Henan Prov Kaifeng 475004 Peoples R China. E-mail Address: wfzhang@henu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Q;  Wang XQ;  He XW;  Yin CM;  Xu FJ;  Shen B;  Chen YH;  Wang ZG;  Ishitani Y;  Yoshikawa A;  Zhang Q Peking Univ Sch Phys State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop P Beijing 100871 Peoples R China. E-mail Address: wangshi@pku.edu.cn;  bshen@pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Z;  Zhang R;  Xie ZL;  Liu B;  Li M;  Fu DY;  Fang HN;  Xiu XQ;  Lu H;  Zheng YD;  Chen YH;  Tang CG;  Wang ZG;  Zhang R Nanjing Univ Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang CG;  Chen YH;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YH;  Walsh A;  Chen SY;  Yin WJ;  Yang JH;  Li JB;  Da Silva JLF;  Gong XG;  Wei SH;  Li YH Fudan Univ Dept Phys Shanghai 200433 Peoples R China. E-mail Address: a.walsh@ucl.ac.uk;  swei@nrel.gov
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia CH;  Chen YH;  Zhou XL;  Yang AL;  Zheng GL;  Liu XL;  Yang SY;  Wang ZG;  Jia CH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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