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生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人:  范海波;  杨少延;  张攀峰;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  陈涌海;  王占国 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou B;  Pan SW;  Chen SY;  Li C;  Lai HK;  Yu JZ;  Zhu XF;  Chen SY Xiamen Univ Dept Phys Semicond Photon Res Ctr Xiamen 361005 Fujain Peoples R China. E-mail Address: sychen@xmu.edu.cn
Adobe PDF(246Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1189/347  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou B;  Pan SW;  Chen R;  Chen SY;  Li C;  Lai HK;  Yu;  JZ;  Zhu XF;  Chen, SY, Xiamen Univ, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail Address: sychen@xmu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YH;  Walsh A;  Chen SY;  Yin WJ;  Yang JH;  Li JB;  Da Silva JLF;  Gong XG;  Wei SH;  Li YH Fudan Univ Dept Phys Shanghai 200433 Peoples R China. E-mail Address: a.walsh@ucl.ac.uk;  swei@nrel.gov
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia CH;  Chen YH;  Zhou XL;  Yang AL;  Zheng GL;  Liu XL;  Yang SY;  Wang ZG;  Jia CH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YH;  Li C;  Zhou ZW;  Lai HK;  Chen SY;  Ding WC;  Cheng BW;  Yu YD;  Li C Xiamen Univ Dept Phys Semicond Photon Res Ctr Xiamen 361005 Peoples R China. E-mail Address: lich@xmu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia CH;  Chen YH;  Liu GH;  Liu XL;  Yang SY;  Wang ZG;  Jia CH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1291/418  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  廖凌宏;  周志文;  李成;  陈松岩;  赖虹凯;  余金中;  王启明
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