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磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄秀颀;  刘峰奇
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多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  车晓玲;  刘峰奇;  黄秀颀;  雷文;  刘俊岐;  路秀真
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InP基应变补偿量子线阵列及其织构纳米衍射光栅研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  黄秀颀
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