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利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩根全;  曾玉刚;  余金中
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利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩根全;  曾玉刚;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  成步文;  薛春来;  罗丽萍;  韩根全;  曾玉刚;  薛海韵;  王启明
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Si基量子级联激光器能带设计和材料生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  韩根全
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩根全;  林桂江;  余金中
Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：958/271  |  提交时间：2010/11/23