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多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  车晓玲;  刘峰奇;  黄秀颀;  雷文;  刘俊岐;  路秀真
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InP 基InAs 纳米结构材料的生长、光电性质与其器件应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  雷文
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