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降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:  范亚明;  张兴旺;  谭海仁;  陈诺夫
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一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人:  张兴旺;  蔡培锋;  游经碧;  范亚明;  高 云;  陈诺夫
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用于高倍聚光太阳电池系统的软键合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-20, 2010-08-12
发明人:  崔 敏;  陈诺夫;  王彦硕;  白一鸣
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制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12
发明人:  张兴旺;  高 云;  屈 盛;  陈诺夫
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检测嵌段共聚物胶束溶液负载金属盐能力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12
发明人:  高 云;  屈 盛;  张兴旺;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai YM (Bai YiMing);  Wang J (Wang Jun);  Chen NF (Chen NuoFu);  Yao JX (Yao JianXi);  Yin ZG (Yin ZhiGang);  Zhang H (Zhang Han);  Zhang XW (Zhang XingWang);  Huang TM (Huang TianMao);  Wang YS (Wang YanShuo);  Yang XL (Yang XiaoLi);  Bai, YM, N China Elect Power Univ, Sch Renewable Energy Engn, Beijing 102206, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymbai@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang TM (Huang TianMao);  Chen NF (Chen NuoFu);  Zhang XW (Zhang XingWang);  Bai YM (BaiYiMing);  Yin ZG (Yin ZhiGang);  Shi HW (Shi HuiWei);  Zhang H (Zhang Han);  Wang Y (Wang Yu);  Wang YS (Wang YanShuo);  Yang XL (Yang XiaoLi);  Huang, TM, Chinese AcadSci, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tmhuang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YS (Wang YanShuo);  Chen NF (Chen NuoFu);  Zhang XW (Zhang XingWang);  Bai;  YM (Bai YiMing);  Wang Y (Wang Yu);  Huang TM (Huang TianMao);  Zhang H (Zhang Han);  Shi HW (Shi HuiWei);  Wang, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yswang@semi.ac.cn;  nfchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang H (Zhang Han);  Chen NF (Chen NuoFu);  Wang Y (Wang Yu);  Zhang XW (Zhang XingWang);  Yin ZG (Yin ZhiGang);  Shi HW (Shi HuiWei);  Wang YS (Wang YanSuo);  Huang TM (Huang TianMao);  Bai YM (Bai YiMing);  Fu Z (Fu Zhen)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄添懋;  陈诺夫;  张兴旺;  白一鸣;  尹志岗;  施辉伟;  张汉;  汪宇;  王彦硕;  杨晓丽
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