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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yakun Wang; Jun Liu; Yanbin Huang; Zhan Wang ; Qicong Li; Shizhong Yue; Kong Liu; Shaolong Yan; Mingsheng Liu; Dawei Cao ; Yan Li, ; Zhijie Wang; Xinrong Yang ; Shengchun Qu
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| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李士颜
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高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chao Fan; Yan Li; Fangyuan Lu; Hui-Xiong Deng; Zhongming Wei; Jingbo Li
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| 具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人: 谢小兵; 曾湘波; 杨萍; 李洁; 李敬彦; 张晓东; 王启明
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| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
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| 一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩
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| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
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| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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| 硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩
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| 硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-13
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩
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