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基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李士颜
Adobe PDF(15932Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:718/63  |  提交时间:2016/06/02
高深宽比限制技术  选区外延技术  Si基iii-v族异质外延  Si基高迁移率iii-v族mosfet  纳米激光器  
新型二维半导体材料基础性质的理论研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李燕
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微晶硅薄膜太阳电池 n/i 界面的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  李敬彦
Adobe PDF(2320Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1120/16  |  提交时间:2013/06/24
新型高K 栅介质材料的制备和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  李艳丽
Adobe PDF(2068Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:788/12  |  提交时间:2009/04/13