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在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:  谈笑天;  郑厚植;  刘 剑;  杨富华
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对原位表面磁光克尔效应进行测量的系统及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人:  赵建华;  姬 扬;  郑厚植;  杨 威;  鲁 军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu H (Wu Hao);  Zheng HZ (Zheng HouZhi);  Liu J (Liu Jian);  Li GR (Li GuiRong);  Xu P (Xu Ping);  Zhu H (Zhu Hui);  Zhang H (Zhang Hao);  Zhao JH (Zhao JianHua);  Zheng, HZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.’电子邮箱地址: hzzheng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo J (Luo Jing);  Zheng HZ (Zheng HouZhi);  Shen C (Shen Chao);  Zhang H (Zhang Hao);  Zhu K (Zhu Ke);  Zhu;  H (Zhu Hui);  Liu J (Liu Jian);  Li GR (Li GuiRong);  Ji Y (Ji Yang);  Zhao JH (Zhao JianHua);  Zheng, HZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hzzheng@red.semi.ac.cn
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