SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共5条,第1-5条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
一种氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  王晓晖
Adobe PDF(613Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1038/152  |  提交时间:2009/06/11
Ⅲ族氮化物材料及GaAs基太阳能电池的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2001
作者:  袁海荣
Adobe PDF(9387Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:806/41  |  提交时间:2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓晖;  刘祥林;  陆大成;  袁海荣;  韩培德;  汪度
Adobe PDF(185Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:950/335  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  袁海荣;  向贤碧;  陈庭金;  陆大成
Adobe PDF(193Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:852/308  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陆大成;  刘祥林;  韩培德;  王晓晖;  汪度;  袁海荣
Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:852/309  |  提交时间:2010/11/23