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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YB (Zhang Yanbo);  Xiong Y (Xiong Ying);  Yang XA (Yang Xiang);  Wang Y (Wang Ying);  Han WH (Han Weihua);  Yang FH (Yang Fuhua);  Han, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res Ctr Semicond Integrat Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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基于电子束曝光技术的硅纳米线器件的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  王颖
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Ying;  Han Weihua;  Yang Xiang;  Zhang Renping;  Zhang Yang;  Yang Fuhua
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依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨香;  韩伟华;  王颖;  张杨;  杨富华
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基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  韩伟华;  熊莹;  赵凯;  杨香;  张严波;  王颖;  杨富华
Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1101/84  |  提交时间：2011/08/31