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| 一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人: 渠红伟; 郑婉华; 刘安金; 王 科; 张冶金; 彭红玲; 陈良惠
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| 一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人: 渠红伟; 郑婉华; 刘安金; 王 科; 张冶金; 彭红玲; 陈良惠
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| 双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑婉华; 王科; 任刚; 杜晓宇; 邢名欣; 陈良惠
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| 一种单模光子晶体偏振分束器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 任刚; 郑婉华; 邢名欣; 王科; 杜晓宇; 陈良惠
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| 一种光子晶体减慢光速效应的测量方法及测量装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑婉华; 任刚; 邢名欣; 王科; 杜晓宇; 陈良惠
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| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 王科范; 杨晓光 ; 杨涛; 王占国
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| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国
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| 制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-20, 2013-02-20
发明人: 王科范; 刘孔; 曲胜春; 王占国
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| 一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-28
发明人: 王科范; 张华荣; 彭成晓; 曲胜春; 王占国
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| 硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
发明人: 王科范; 彭成晓; 刘孔; 谷城; 曲胜春; 王占国
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