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无权访问的条目 期刊论文
作者:  何国荣;  沈文娟;  王青;  郑婉华;  陈良惠
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利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
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利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王俊
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在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
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MOCVD ZnO 外延材料制备及性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  沈文娟
Adobe PDF(2538Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：812/23  |  提交时间：2009/04/13