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在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘力锋;  陈诺夫;  尹志岗;  杨霏;  柴春林
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用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  尹志冈;  杨霏
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在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨霏;  陈诺夫
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一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李艳丽;  陈诺夫;  刘立峰;  尹志刚;  杨菲;  柴春林
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在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  杨霏
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang P (Wang Peng);  Chen NF (Chen Nuofu);  Yin ZG (Yin Zhigang);  Yang F (Yang Fei);  Peng CT (Peng Changtao);  Dai RX (Dai Ruixuan);  Bai YM (Bai Yiming);  Wang, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: pwang@semi.ac.cn
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宽带隙半导体材料SiC、AlN和ZnO薄膜的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  杨霏
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