中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  陆沅;  王晓晖
Adobe PDF(620Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1123/152  |  提交时间：2009/06/11
量子阱子带间跃迁及相关物理特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  李杰民
Adobe PDF(1472Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：811/39  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu JJ (Wu Jiejun);  Han XX (Han Xiuxun);  Li JM (Li Jiemin);  Wei HY (Wei Hongyuan);  Cong GW (Cong Guangwei);  Liu XL (Liu Xianglin);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Jia QJ (Jia Quanjie);  Guo LP (Guo Liping);  Hu TD (Hu Tiandou);  Wang HH (Wang Huanhua);  Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jiejunw@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(229Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1311/387  |  提交时间：2010/04/11