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GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人:  汤宝;  周志强;  郝瑞亭;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人:  周志强;  郝瑞亭;  汤 宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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InAs/GaSb超晶格及量子点材料生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  周志强
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  彭震宇;  鲁正雄;  孙维国;  郝瑞亭;  周志强;  许应强;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  孙维国;  彭震宇;  周志强;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(321Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1671/721  |  提交时间：2010/11/23