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| 一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 曾宇昕; 杨富华; 徐萍; 刘伟
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| 单光子探测装置的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘伟; 杨富华; 曾宇昕; 郑厚植
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| 绿光LED芯片外延层的结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人: 刘炜; 赵德刚; 陈平; 刘宗顺; 朱建军; 江德生
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| 高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人: 刘炜; 赵德刚; 陈平; 刘宗顺; 江德生
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| 基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 刘炜; 赵德刚; 陈平; 刘宗顺; 朱建军; 江德生
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| 绿光LED外延层结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 刘炜; 赵德刚; 陈平; 刘宗顺; 朱建军; 江德生
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| InGaN量子点的外延结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 刘炜; 赵德刚; 陈平; 刘宗顺; 朱建军; 江德生
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