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| 发光二极管封装结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 杨华 ; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185052A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕; 王国宏
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| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽
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| 透明电极GaN基LED结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081994.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨华; 王晓峰; 阮军; 王国宏; 曾一平
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| 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 黄亚军; 樊中朝; 刘志强; 伊晓燕; 季安; 王军喜
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| 氮化镓系发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157611.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 马平; 李京波; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张连; 丁凯; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
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