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铁磁半导体(Ga,Mn)As器件的电磁输运特性 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  李炎勇
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一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  牛智川;  倪海桥;  王海莉;  贺继方;  朱岩;  李密峰;  王鹏飞;  黄社松;  熊永华
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