中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
竖直式离子注入碳化硅高温退火装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺
Adobe PDF(787Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：933/129  |  提交时间：2009/06/11
湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓峰;  曾一平;  孙国胜;  黄风义;  王雷;  赵万顺
Adobe PDF(537Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1278/189  |  提交时间：2009/06/11
水平式离子注入碳化硅高温退火装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺
Adobe PDF(705Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：764/110  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang FY;  Wang XF;  Sun GS;  Zhao WS;  Zeng YP;  Bian EL;  Huang, FY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, 35 E Qinghua Rd, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fyhuang@seu.edu.cn
Adobe PDF(1519Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1008/258  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xin G;  Sun, GS;  Li JM;  Zhang YX;  Lei W;  Zhao WS;  Zeng YP;  Xin, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gaoxin@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(274Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：938/282  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  高欣;  孙国胜;  李晋闽;  赵万顺;  王雷;  张永兴;  曾一平
Adobe PDF(493Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：860/251  |  提交时间：2010/11/23