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一种用于实现光波导器件耦合封装的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李健;  安俊明;  胡雄伟;  李建光;  王红杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hujin (Hujin);  Yang, GW (Yang, Guowei);  Wang, SJ (Wang, Shoujue);  Gao, XH (Gao, Xuhui);  Hujin, Qingdao Univ, Inst Pattern Recognit & Intelligent Syst, Qingdao 266071, Peoples R China. 电子邮箱地址: hj.yt@163.com;  ygw_ustb@163.com;  wsjue@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  An JM (An Junming);  Wu YD (Wu Yuanda);  Wang HJ (Wang Hongjie);  Li JG (Li Jianguang);  Xing B (Xing Bo);  Hu XW (Hu Xiongwei);  An, JM, Inner Mongolian Univ, Dept Phys, Hohhot 010021, Peoples R China. E-mail: junming@red.semi.ac.cn
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The improvement of thick oxidized porous silicon layer growth process - art. no. 60290S 会议论文
ICO20 Materials and Nanostructures丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Li J;  An JM;  Wang HJ;  Xia JL;  Gao DS;  Hu XW;  Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Porous Silicon  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye ZC;  Han PD;  Zhao CH;  Wang HJ;  Wu L;  Quan YJ;  Lu XD;  Hu XW;  Ye, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Qinghua E Rd,Jia 35, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yzhch@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cong GW;  Peng WQ;  Wei HY;  Han XX;  Wu JJ;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Lu JG;  Ye ZZ;  Zhu LP;  Qian HJ;  Su R;  Hong CH;  Zhong J;  Ibrahim K;  Hu TD;  Cong, GW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gwcong@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cong GW;  Peng WQ;  Wei HY;  Liu XL;  Wu JJ;  Han XX;  Zhu QS;  Wang ZG;  Ye ZZ;  Lu JG;  Zhu LP;  Qian HJ;  Su R;  Hong CH;  Zhong J;  Ibrahim K;  Hu TD;  Cong, GW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gwcong@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴远大;  夏君磊;  安俊明;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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