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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [14]
作者
文献类型
会议论文 [5]
专利 [4]
期刊论文 [4]
学位论文 [1]
发表日期
2006 [14]
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英语 [9]
中文 [5]
出处
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共14条,第1-10条
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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发表日期:2006
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改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
王翠梅
;
胡国新
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
Adobe PDF(627Kb)
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浏览/下载:1200/179
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提交时间:2009/06/11
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
王翠梅
;
胡国新
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:975/142
  |  
提交时间:2009/06/11
提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王翠梅
;
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
Adobe PDF(656Kb)
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浏览/下载:1008/153
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提交时间:2009/06/11
铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
王翠梅
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:975/183
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li HP (Li Jianping)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xlwang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(541Kb)
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浏览/下载:2186/326
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提交时间:2010/04/11
GaN 基HEMT 材料及器件研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:
王翠梅
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浏览/下载:686/57
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提交时间:2009/04/13
Room temperature mobility above 2100 cm2/Vs in Al0.3Ga0.7N/AIN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by MOCVD
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Li, JP
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1864/347
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提交时间:2010/03/29
Molecular-beam Epitaxy
2-dimensional Electron-gas
Bulk Gan
Optimization
Layers
Hemts
Influence of Al content on electrical and structural properties of Si-doped AlxGa1-xN/GaN HEMT structures
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Wang, CM
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Li, JP
;
Wang, CM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1233/297
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提交时间:2010/03/29
High Breakdown Voltage
Mobility Transistors
Heterostructures
Sapphire
Ganhemts
Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Liu, C
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Li, CJ
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1354/262
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提交时间:2010/03/29
Thermally Stimulated Current
Gallium Nitride
Defects
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fang CB
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Wang CM
;
Li JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xlwang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1303/256
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提交时间:2010/04/11