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中国科学院半导体研究所机构知识库
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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语种:英语
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期刊论文
作者:
Guo J
;
Peng ZY
;
Sun WG
;
Xu YQ
;
Zhou ZQ
;
Niu ZC
;
Guo J NW Polytech Univ Xian 710000 Shaanxi Peoples R China. E-mail Address: jieggg1020@sina.com
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo J
;
Sun WG
;
Peng ZY
;
Zhou ZQ
;
Xu YQ
;
Niu ZC
;
Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 710000 Peoples R China. E-mail Address: jieggg1020@sina.com
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Wang WZ
;
Deng JJ
;
Lu J
;
Sun BQ
;
Wu XG
;
Zhao JH
;
Zhao JH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jhzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun XM
;
Zhang H
;
Zhu H
;
Xu P
;
Li GR
;
Liu J
;
Zheng HZ
;
Sun XM Chinese Acad Sci State Key Lab Microstruct & Superlattices Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cheng YB
;
Wang Y
;
Sun Y
;
Pan JQ
;
Bian J
;
An X
;
Zhao LJ
;
Wang W
;
Cheng YB Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ybcheng@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Guo J
;
Chen HJ
;
Sun WG
;
Hao RT
;
Xu YQ
;
Niu ZC
;
Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 610000 Peoples R China. E-mail Address: jieggg1020@sina.com
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Yu, LK
;
Xu, B
;
Wang, ZG
;
Jin, P
;
Zhao, C
;
Lei, W
;
Sun, J
;
Hu, LJ
;
Yu, LK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yulike@rcd.semi.ac.cn
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浏览/下载:1179/260
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Zhu, BL
;
Sun, XH
;
Zha, XZ
;
Su, FH
;
Li, GH
;
Wu, XG
;
Wu, J
;
Wu, R
;
Liu, J
;
Zhu, BL, Wuhan Univ Sci & Technol, Key Lab Hubei Prov Ceram & Refractories, Nanomat Ctr, Wuhan 430081, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhubailin97@hotmail.com
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提交时间:2010/03/08
High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Ji, G
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Ji, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09