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| 电学测试的汞探针装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人: 纪 刚; 孙国胜; 宁 瑾; 刘兴昉 ; 赵永梅; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽
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| 碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人: 赵永梅; 宁 瑾; 孙国胜; 王 亮; 刘兴昉; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平
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| 氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 宁 瑾; 王 亮; 刘兴昉; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平
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| 图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 王 亮; 王 雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Guo J; Peng ZY; Lu ZX; Sun WG; Hao RT; Zhou ZQ; Xu YQ; Niu ZC; Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 710072 Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙树亮; 王守觉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭杰; 彭震宇; 鲁正雄; 孙维国; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭杰; 孙维国; 彭震宇; 周志强; 徐应强; 牛智川
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| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平
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| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉
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