×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研... [30]
作者
金鹏 [5]
徐波 [5]
许兴胜 [2]
叶小玲 [2]
陈良惠 [1]
刘兴昉 [1]
更多...
文献类型
期刊论文 [22]
会议论文 [5]
专利 [3]
发表日期
2006 [30]
语种
英语 [21]
中文 [9]
出处
MATERIALS ... [4]
APPLIED PH... [2]
APPLIED SU... [2]
JOURNAL OF... [2]
NANOTECHNO... [2]
NUCLEAR IN... [2]
更多...
资助项目
收录类别
SCI [16]
CSCD [6]
CPCI(ISTP) [3]
CPCI-S [1]
其他 [1]
资助机构
Aixtron.; ... [1]
Amer Vacuu... [1]
Natl Nat S... [1]
国家自然科学基金资助... [1]
国家自然科学基金资助... [1]
国家重点基础研究发展... [1]
更多...
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共30条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
发表日期:2006
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
高能电子衍射图像处理系统及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙永伟
;
侯识华
;
宋国峰
;
杨晓杰
;
叶晓军
Adobe PDF(537Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1156/149
  |  
提交时间:2009/06/11
一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(1125Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:974/150
  |  
提交时间:2009/06/11
降低磷离子注入(0001)取向的4H-碳化硅电阻率的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
高欣
;
孙国胜
;
李晋闽
;
王雷
;
赵万顺
Adobe PDF(499Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1283/188
  |  
提交时间:2009/06/11
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Zhao M
;
Zhang CL
;
Xu B
;
Yu LK
;
Sun J
;
Lei W
;
Wang ZG
;
Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: czhao@semi.ac.cn
Adobe PDF(330Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1664/335
  |  
提交时间:2010/03/29
Monte Carlo Simulation
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao J (Zhao Jie)
;
Hu LZ (Hu Lizhong)
;
Wang ZY (Wang Zhaoyang)
;
Sun J (Sun Jie)
;
Wang ZJ (Wang Zhijun)
;
Zhao, J, Dalian Univ Technol, State Key Lab Mat Modificat Laser Ion Electron Be, Dept Phys, Dalian 116024, Peoples R China. E-mail: jiezhao@student.dlut.edu.cn
Adobe PDF(400Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1036/370
  |  
提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma WQ (Ma W. Q.)
;
Sun YW (Sun Y. W.)
;
Yang XJ (Yang X. J.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Chen LH (Chen L. H.)
;
Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wqma@semi.ac.cn
Adobe PDF(528Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1042/292
  |  
提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang H (Wang H.)
;
Huang Y (Huang Y.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Wang LL (Wang L. L.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangh@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(210Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1130/320
  |  
提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huang Y (Huang Y.)
;
Wang H (Wang H.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Li DY (Li D. Y.)
;
Zhang JC (Zhang J. C.)
;
Wang JF (Wang J. F.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangh@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(246Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1095/315
  |  
提交时间:2010/04/11
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:
Sun, GS (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Gong, QC (Gong, Quancheng)
;
Gao, X (Gao, Xin)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Liu, XF (Liu, Xingfang)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(981Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1311/203
  |  
提交时间:2010/03/29
Homoepitaxial Growth
Low-pressure Hot-wall Cvd
Structural And Optical Characteristics
Intentional Doping
Schottky Barrier Diodes
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu XF
;
Sun GS
;
Li JM
;
Ning J
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhao WS
;
Zeng YP
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liuxf@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(168Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1302/317
  |  
提交时间:2010/03/29