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| 一种减小霍尔器件失调电压的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑一阳; 韩海; 景士平; 梁平
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| 一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑一阳; 韩海; 景士平; 梁平
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| 高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑一阳; 韩海; 景士平; 梁平
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| 磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 董宏伟; 赵有文; 杨子祥; 焦景华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 段满龙; 孙文荣; 杨子祥; 焦景华; 赵建群; 曹慧梅; 吕旭如
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 殷景志; 刘素萍; 刘宗顺; 王新强; 殷宗友; 李正庭; 杨树人; 杜国同
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 章继东; 陈京好; 邓元明; 安龙; 章昊 ; 杨富华; 李国华; 郑厚植
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