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一种生长二氧化硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓东;  季安;  邢波;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  An L;  Tang Y;  Zhang JD;  Ji Y;  Tan PH;  Yang FH;  Zhaeng HZ;  An L,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  安龙;  唐艳;  章继东;  姬扬;  谭平恒;  杨富华;  郑厚植
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  章继东;  陈京好;  邓元明;  安龙;  章昊;  杨富华;  李国华;  郑厚植
Adobe PDF(221Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：798/204  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈定钦;  邢益荣;  李国华;  朱勤生;  曹作萍;  张广泽;  肖君;  吴汲安;  钟战天
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张瑞勤;  吴汲安;  邢益荣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张瑞勤;  楚天舒;  戴国才;  吴汲安;  邢益荣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  倪国权;  周汝枋;  翟华金;  王育竹;  吴汲安
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曹洪凯;  倪国权;  吴汲安
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周洁;  王永康;  孙景兰;  卢励吾;  吴汲安
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