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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ji Gang;  Sun Guosheng;  Liu Xingfang;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Liang;  Zhao Yongmei;  Ning Jin;  Sun Guosheng;  Wang Lei;  Liu Xingfang;  Zhao Wanshun;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
Adobe PDF(610Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：883/303  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Yongmei;  Sun Guosheng;  Ning Jin;  Liu Xingfang;  Zhao Wanshun;  Wang Lei;  Li Jinmin
Adobe PDF(424Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1156/297  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YM (Zhao Yong-Mei);  Sun GS (Sun Guo-Sheng);  Li JY (Li Jia-Ye);  Liu XF (Liu Xing-Fang);  Wang L (Wang Lei);  Zhao WS (Zhao Wan-Shun);  Li JM (Li Jin-Min);  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
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Heavily doped polycrystalline 3C-SiC growth on SiO2/Si(100) substrates for resonator applications 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Sun, G (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Liu, X (Liu, Xingfang);  Zhao, Y (Zhao, Yongmei);  Li, J (Li, Jiaye);  Wang, L (Wang, Lei);  Zhao, W (Zhao, Wanshun);  Wang, L (Wang, Liang);  Sun, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1399/222  |  提交时间：2010/03/29
Polycrystalline 3c-sic  Resonator  Doping  Silicon-carbide  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Jiaye;  Zhao Yongmei;  Liu Xingfang;  Sun Guosheng;  Luo Muchang;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
Adobe PDF(323Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1022/397  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu XF (Liu Xing-Fang);  Sun GS (Sun Guo-Sheng);  Li JM (Li Jin-Min);  Zhao YM (Zhao Yong-Mei);  Li JY (Li Jia-Ye);  Wang L (Wang Lei);  Zhao WS (Zhao Wan-Shun);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liuxf@mail.semi.ac.cn
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Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:  Sun, GS (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Gong, QC (Gong, Quancheng);  Gao, X (Gao, Xin);  Wang, L (Wang, Lei);  Liu, XF (Liu, Xingfang);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Li, JM (Li, Jinmin);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(981Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1328/203  |  提交时间：2010/03/29
Homoepitaxial Growth  Low-pressure Hot-wall Cvd  Structural And Optical Characteristics  Intentional Doping  Schottky Barrier Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Xiaofeng;  Huang Fengyi;  Sun Guosheng;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Zeng Yiping;  Li Haiou;  Duan Xiaofeng
Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：860/251  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  SUN Guosheng;  WANG Lei;  GONG Quancheng;  GAO Xin;  LIU Xingfang;  ZENG Yiping;  LI JinminL
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