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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YM (Zhao Yong-Mei);  Sun GS (Sun Guo-Sheng);  Li JY (Li Jia-Ye);  Liu XF (Liu Xing-Fang);  Wang L (Wang Lei);  Zhao WS (Zhao Wan-Shun);  Li JM (Li Jin-Min);  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
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Heavily doped polycrystalline 3C-SiC growth on SiO2/Si(100) substrates for resonator applications 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Sun, G (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Liu, X (Liu, Xingfang);  Zhao, Y (Zhao, Yongmei);  Li, J (Li, Jiaye);  Wang, L (Wang, Lei);  Zhao, W (Zhao, Wanshun);  Wang, L (Wang, Liang);  Sun, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Polycrystalline 3c-sic  Resonator  Doping  Silicon-carbide  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Jiaye;  Zhao Yongmei;  Liu Xingfang;  Sun Guosheng;  Luo Muchang;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
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