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一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
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生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  肖红领;  王晓亮;  王军喜;  张南红;  刘宏新;  曾一平
Adobe PDF(404Kb)  |  Favorite  |  View/Download:794/177  |  Submit date:2009/06/11