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4H-SiC UMOSFETs 器件设计与关键工艺研发 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  郭志煜
Adobe PDF(10262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：278/2  |  提交时间：2022/07/26
SiC深能级缺陷与硅上 In线光致相变的第一性原理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  顾宇翔
Adobe PDF(6264Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：222/1  |  提交时间：2022/07/26
4H-SiC UMOSFETs 器件设计与关键工艺研发 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  郭志煜
Adobe PDF(10262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：257/3  |  提交时间：2022/07/15
面向650V氮化镓集成功率器的专用集成电路关键技术研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  郭玉洁
Adobe PDF(11205Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：218/4  |  提交时间：2022/07/25