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光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  唐光华;  徐波;  叶小玲;  金鹏;  刘峰奇;  陈涌海;  王占国;  姜立稳;  孔金霞;  孔宁
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一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人:  毛德丰;  李维;  王维颖;  金鹏;  王占国
Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：681/97  |  提交时间：2014/11/24
高In组分AlInN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人:  李维;  毛德丰;  王维颖;  金鹏;  王占国
Adobe PDF(424Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：710/94  |  提交时间：2014/11/17
提高AlN外延薄膜荧光强度的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  王维颖;  毛德丰;  李维;  金鹏;  王占国
Adobe PDF(304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：838/89  |  提交时间：2014/11/05
具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:  王翠梅;  王晓亮;  彭恩超;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
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双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  肖红领;  彭恩超;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：683/98  |  提交时间：2014/10/31
铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13
发明人:  王晓亮;  彭恩超;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(535Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：714/94  |  提交时间：2014/10/24
具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-29
发明人:  王晓亮;  彭恩超;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(597Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：591/87  |  提交时间：2014/12/25